Publications Repository - Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf
1 PublicationDefect profiling with positrons recent results on ion implanted 6H-SiC
Anwand, W.; Brauer, G.; Skorupa, W.
Abstract
Positron annihilation spectroscopy is used to analyse implantation defects in 6H-SiC.
Keywords: Positron annihilation Spectroscopy; SiC; defects
-
Lecture (Conference)
Frühjahrstagung des Arbeitskreises Herstellung und Charakterisierung von massiven GaAs-, InP- und SiC-Kristallen der Deutschen Gesellschaft für Kristallwachstum und Kristallzüchtung (DGKK),, 31.03.-01.04.2004, Halle (Saale), Deutschland
Permalink: https://www.hzdr.de/publications/Publ-9884
Years: 2023 2022 2021 2020 2019 2018 2017 2016 2015