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Silizium-basierte Lichtemitter: auf dem Weg zur Silizium-Photonik ?

Helm, M.

Abstract

Silizium ist zwar die Basis für nahezu die gesamte Mikroelektronik, die Integration mit optischer Funktionalität ist jedoch nur eingeschränkt möglich, da Silizium als indirekter Halbleiter ein schlechter Lichtemitter ist. Andere optoelektronische Komponenten, wie Dektektoren, Modulatoren oder Wellenleiter können aus Silizium hergestellt werden, ein Siliziumlaser hat sich bisher aber allen Realisierungsversuchen widersetzt. In den letzten Jahren hat es jedoch rasante Fortschritte bei der Effizienz Silizium-basierter Lichtemitter gegeben, sogar optischer Gewinn (gain) wurde berichtet. Ich möchte diese Entwicklung zusammenfassen und dann unsere Unterschungen an Bor-implantierten Si pn Dioden und an mit seltenen Erd-Ionen implantierte MOS-Strukturen präsentieren, deren Effizienzen schon nahe zum anwendungsrelevanten Bereich kommen.

Keywords: Silicon light emitter; microcavity; rare earth

  • Lecture (others)
    Physikalisches Kolloquium, 17.01.2005, Kaiserslautern, Deutschland

Permalink: https://www.hzdr.de/publications/Publ-7063


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