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Verfahren zur Dotierung von Siliziumkarbid-Halbleiterbereichen

Heera, V.

Abstract

Der Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, mit geringerem Aufwand in der Tiefe homogen dotierte SiC-Halbleiterbereiche mit einem schmalen Übergangsbereich zum Substrat zu erzeugen.

  • Patent
    Patentanmeldung 100 62 212.7
  • Patent
    DE 100 62 212 C1

Permalink: https://www.hzdr.de/publications/Publ-3701

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