Publications Repository - Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf
2 PublicationsVerfahren zur Herstellung von Kontakten und Leitbahnen in oder auf kristallinen Siliziumkarbid-Halbleitersubstraten
Heera, V.
Abstract
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Kontakte und Leitbahnen in oder auf kristallinen SiC-Halbleitersubstraten mit geringerem Kosten- und Herstellungsaufwand sowie gutem Grenzflächenverhalten herzustellen, wenn eine Schicht über den Kontakten bzw. Leitbahnen aus SiC erforderlich ist.
-
Patent
Offenlegungsschrift DE 199 44 144 A1 -
Patent
Patentschrift DE 199 44 144 C2
Permalink: https://www.hzdr.de/publications/Publ-2982
Years: 2023 2022 2021 2020 2019 2018 2017 2016 2015