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P1313 - Magnetisierbare Halbleiter und Oxide mit permanenter Magnetisierung, deren Herstellung und Verwendung

Schmidt, H.; Kaspar, T.; Bürger, D.; Skorupa, I.; Fiedler, J.

Abstract

Die Erfindung beschreibt die Herstellung und den Aufbau einer Anordnung mit mindestens einer Raumladungszone, bei der sich im Bereich der Raumladungszone magnetische Polaronen stabil ausbilden. Weiterhin beschreibt die Erfindung, die Integration und die Verwendung der Anordnung in einem Spin-FET, in einem Spin-Ventil und in einer Spin-LED.

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  • Patent
    DE102013209278 - Offenlegung 20.11.2014, Erteilung 18.02.2016, Nachanmeldung: WO

Permalink: https://www.hzdr.de/publications/Publ-21221


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