Die Nutzung der Hochenergie-Ionenimplantation für die Verbesserung des Schaltverhaltens von Leistungshalbleiter- Bauelementen

Borany, Johannes von

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Die Nutzung der Hochenergie-Ionenimplantation für die Verbesserung des Schaltverhaltens von Leistungshalbleiter- Bauelementen

von Borany, J.

Abstract

Im Vortrag werden die Möglichkeiten zur Verbesserung des Schaltverhaltens von Leistungshalbleiter-Bauelementen mittels einer Ionenbestrahlung vorgestellt. Die grundlegenden physikalischen Effekte und gerätetechnischen Voraussetzungen werden diskutiert und die anwendungsrelevanten Vorteile am Bespiel von schnellen Schaltdioden aufgezeigt.

Keywords: Ion-beam irradiation; Power electronics; Fast Switching Diodes

Involved research facilities

Ion Beam Center DOI: 10.17815/jlsrf-3-159

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2. Mitteldeutscher Innovationstag, 14.04.2011, Dresden, Deutschland

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