Publications Repository - Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf

Die Erfindung beschreibt ein Herstellungsverfahren von Halbleiterstrukturen auf Silizium-Germanium-Basis. Durch die Germanium-Ionenimplantation und die anschließende Bestrahlung mit einem Lichtimpuls können die Germanium legierten Gebiete kurzzeitig und lokal aufgeschmolzen werden und die entstandenen Schäden während der Implantation an den Profilkanten ausgeheilt werden. Dadurch wird eine erhöhte Effizienz und rationellere Produktion erreicht, die vor allem bei der Produktion von Solarzellen verwendet werden kann. Weiterhin können mit diesem Verfahren verspannte Silizium-Halbleiterstrukturen hergestellt werden.