Publications Repository - Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Reduzierung von Temperaturfluktuationen in Halbleiter- oder Metall-Schmelzen. Das Hauptinteresse gilt vor allem Schmelzen in Kristallzüchtungsprozessen wie Gallium-Arsenid (GaAs), Indium-Phosphid (InP) oder Silizium (Si).
Mit der Erfindung werden große Temperaturfluktuationen in der Schmelze unterdrückt, die den Prozess des Kristallwachstums stören bzw. teilsweise unmöglich machen.
Durch den Einsatz dieses Verfahrens können deutlich größere Schmelzvolumina als heute üblich verwendet werden.