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P1205 - Integrierbare Elektrode mit nichtflüchtig positionierbarer, statisch geladener Grenzschicht, Aufbau und Verwendung

Schmidt, H.; Shuai, Y.; Zhou, S.; Skorupa, I.; Luo, W.; Du, N.

Abstract

Die Erfindung beschreibt den Aufbau einer in einem Halbleiterbauelement integrierbaren Elektrode mit nichtflüchtig positionierbarer, statisch geladener Grenzschicht. Weiterhin wird die Verwendung der integrierbaren Elektrode in Photobauelementen, Teilchendetektoren, in kapazitiven Energiespeichern und in Logikbauelementen beschrieben.

  • Patent
    DE102012104425 - Offenlegung 12.12.2013, Erteilung 06.03.2014

Permalink: https://www.hzdr.de/publications/Publ-20336


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