Instrumentenliste FWIZ-N
Liste unserer Anlagen für Materialmodifikationen(1), Bildgebung(2), analytische Methoden(3) und Präparation(4).
Materialmodifikation
Instrument
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Funktion
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Ansprechpartner
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OrsayFIB
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HV-Anlage für fokussierte Ionenstrahlen:
- LMAIS Ionenquelle: < 10 A/cm²
- Kinetische Energie: < 30 keV
- Verfügbare Ionenarten: Au, Si, Ge, Ga, Co, Nd, Cr, Er, Ni, …
- Lokale Implantation
- Herstellung von Nanostrukturen mittels fokussiertem Ionenstrahl
- Laterale Auflösung für Ga-Ionen: 10 nm
- Strukturgrößen < 50 µm
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Nico Klingner(6) Lothar Bischoff(7) |
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CANION FIB
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HV-Anlage für fokussierte Ionenstrahlen:
- LMAIS Ionenquelle (bis 10 A/cm²)
- Kinetische Energie bis 30 keV
- Verfügbare Ionenarten: Au, Si, Ge, Ga, Co, Nd, Cr, Er, Ni, …
- Herstellung von Nanostrukturen mittels fokussiertem Ionenstrahl
- Laterale Auflösung für Ga-Ionen: 15 nm
- Laserstage zur Positionierung
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Lothar Bischoff(9) Nico Klingner(10) |
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Orion NanoFab
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Helium-Ionen-Mikroskop:
- Rückstreudetektor für TOF-SIMS
- Laterale Auflösung: 0.5 nm (für He-Ionen), 1.8 nm (für Ne-Ionen)
- Rastertransmissions-Ionenmikroskopie mit positionssensitivem Detektor
- Bildgebung mit Sekundärelektronen
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Gregor Hlawacek(12) |
NVision 40
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HV-Anlage für fokussierte Ionen- und Elektronenstrahlen:
- Herstellung von Nanostrukturen mittels fokussiertem Ga-Ionenstrahl
- Laterale Auflösung FIB: 7 nm
- Verfahrweg der Stage: 100 mm
- C- und Pt-Deposition
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Lothar Bischoff(14) |
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Orion Plus
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Helium-Ionen-Mikroskop:
- Herstellung von Nanostrukturen mittels fokussiertem He-Ionenstrahl
- Laterale Auflösung: He 0.5 nm, Ne 1.6 nm
- Strukturgrößen von nm bis µm
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Gregor Hlawacek(16) |
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HCI
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UHV Experimentierkammer für hochgeladene Ionen:
- Verfügbare Ionensorten: Ne, Ar, Kr
- Kinetische Energie: 0.5q bis 4.5q keV
- Implantationen von Ne, Ar, Kr
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René Heller(17) |
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LEI
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HV-Anlage für niederenergetische Ionenbestrahlung:
- Ionenquelle vom Kaufman-Typ
- Edelgas-Ionen mit 200 bis 1200 eV
- Polare Einfallswinkel 0° bis 90°
- Probenheizung bis 600°C
- 3 Verdampferquellen für Metalldeposition
- Ioneninduzierte Nanostrukturierung von Oberflächen
- Deposition von metallischen Dünnfilmen
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Denise Erb(18) |
Bildgebung
Instrument
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Funktion
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Ansprechpartner
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Olympus Ultra Objective
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Rasterkraftmikroskop:
- Contact- oder Tapping-Modus AFM
- Spreading resistance Messung
- max. Messbereich: 20 µm x 20 µm
- optische Mikroskopie
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Lothar Bischoff(20) Gregor Hlawacek(21) Nico Klingner(22) |
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Bruker Multimode 8 AFM
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Rasterkraftmikroskop:
- Contact- oder Tapping-Modus AFM
- Spreading resistance Messung (in Planung)
- 3D-Abbildung der Oberflächentopographie mit 7 nm lateraler Auflösung
- max. Messbereich: 15 µm x 15 µm
- optische Mikroskopie
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Denise Erb(23) |
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Omicron UHV AFM / STM
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UHV Rasterkraft- / Rastertunnelmikroskop:
- Contact- oder Non-Contact-Modus AFM
- STM
- 3D-Abbildung der Oberflächentopographie mit < 1 nm lateraler Auflösung
- max. Messbereich: 5 µm x 5 µm
- Probenheizung bis 600°C
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Stefan Facsko(24) |
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Orion NanoFab
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Helium-Ionen-Mikroskop:
- Rückstreudetektor für TOF-SIMS
- Laterale Auflösung: 0.5 nm (für He-Ionen), 1.8 nm (für Ne-Ionen)
- Rastertransmissions-Ionenmikroskopie mit positionssensitivem Detektor
- Bildgebung mit Sekundärelektronen
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Gregor Hlawacek(26) |
Orion Plus
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Helium-Ionen-Mikroskop:
- Rastertransmissions-Ionenmikroskopie mit positionssensitivem Detektor
- Bildgebung mit Sekundärelektronen
- Rückstreu-Detektor
- Untersuchung nicht-leitender Proben mittels Ladungskompensation
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Gregor Hlawacek(28) |
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NVision 40
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HV-Anlage für fokussierte Ionen- und Elektronenstrahlen:
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Lothar Bischoff(30) |
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NanoSAM
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Elektronenmikroskopie im UHV:
- Rasterelektronenmikroskopie (REM)
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Denise Erb(32) |
Analytik
Instrument
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Funktion
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Ansprechpartner
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TestFIB
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UHV Anlage zur Charakterisierung von LMAIS (Liquid Metal Alloy Ion Sources):
- Massenspektrometrie
- Messung der Energieverteilung
- Kinetische Energie der Ionen bis 10 keV
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Lothar Bischoff(34) Nico Klingner(35) |
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NVision 40
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HV-Anlage für fokussierte Ionen- und Elektronenstrahlen:
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Lothar Bischoff(37) |
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Orion NanoFab
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Helium-Ionen-Mikroskop:
- Rückstreudetektor für TOF-SIMS
- Laterale Auflösung: 0.5 nm (für He-Ionen), 1.8 nm (für Ne-Ionen)
- Rastertransmissions-Ionenmikroskopie mit positionssensitivem Detektor
- Bildgebung mit Sekundärelektronen
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Gregor Hlawacek(39) |
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HCI
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UHV Experimentierkammer für hochgeladene Ionen:
- Verfügbare Ionensorten: Ne, Ar, Kr
- Kinetische Energie: 0.5q bis 4.5q keV
- Ladungszustände bis q = 40 für Ar
- Probentemperatur -200°C bis +1000°C
- Ionenspektroskopie
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René Heller(40) |
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Präparation
Instrument
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Funktion
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Ansprechpartner
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Spot Welder
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Punktschweißgerät:
- Bonden von Drähten und Blechen
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Lothar Bischoff(42) Wolfgang Pilz |
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Etching Setup
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Ätzeinrichtung:
- Elektrochemisches Ätzen von Wolframspitzen für Ionenquellen
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Lothar Bischoff(44) Wolfgang Pilz Nico Klingner(45) |
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Leica EM TXP
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Gerät zur mechanischen Präparation:
- Fräsen, Sägen, Mahlen und Polieren
- u. a. Präparation für Lichtmikroskopie und Elektronenmikroskopie
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Nico Klingner(47) |
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ArBlade 5000 CTC
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HV-Gerät zum Fräsen mit Ionenstrahlen:
- unfokussierter Ar-Strahl mit 0.1 bis 8 keV kinetischer Energie
- Ionenfräsen zur Glättung oder zur Herstellung von Dünnschnitten
- Abtragraten bis 1 mm/Stunde
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Nico Klingner(49) |
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LMAIS Präparation
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HV-Einrichtung zur Herstellung von LMAIS (Liquid Metal Alloy Ion Sources):
- Reinigung und Aufschmelzen von Legierungen für LMAIS
- Benetzung, Füllung und Funktionstest
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Lothar Bischoff(51) Wolfgang Pilz Nico Klingner(52) |
Präparation
Instrument
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Funktion
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Ansprechpartner
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Spot Welder
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Punktschweißgerät:
- Bonden von Drähten und Blechen
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Lothar Bischoff(54) Wolfgang Pilz |
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Etching Setup
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Ätzeinrichtung:
- Elektrochemisches Ätzen von Wolframspitzen für Ionenquellen
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Lothar Bischoff(56) Wolfgang Pilz Nico Klingner(57) |
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Leica EM TXP
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Gerät zur mechanischen Präparation:
- Fräsen, Sägen, Mahlen und Polieren
- u. a. Präparation für Lichtmikroskopie und Elektronenmikroskopie
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Nico Klingner(59) |
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ArBlade 5000 CTC
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HV-Gerät zum Fräsen mit Ionenstrahlen:
- unfokussierter Ar-Strahl mit 0.1 bis 8 keV kinetischer Energie
- Ionenfräsen zur Glättung oder zur Herstellung von Dünnschnitten
- Abtragraten bis 1 mm/Stunde
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Nico Klingner(61) |
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LMAIS Präparation
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HV-Einrichtung zur Herstellung von LMAIS (Liquid Metal Alloy Ion Sources):
- Reinigung und Aufschmelzen von Legierungen für LMAIS
- Benetzung, Füllung und Funktionstest
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Lothar Bischoff(63) Wolfgang Pilz Nico Klingner(64) |
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