Publikationsrepositorium - Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf

Die Erfindung beschreibt die Herstellung, den Aufbau eines integrierten Speicherbauelementes, umfassend mindestens einen gleichrichtenden Bottom-Kontakt oder einen Top-Kontakt und eine ferrroelektrische Schicht als leitfähigen Kanal zwischen den Kontakten. Weiterhin wird die Verwendung des integrierten Speicherbauelementes in einem integrierten Feldeffekttransistor beschrieben.