Publikationsrepositorium - Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf

Die Erfindung beschreibt ein Herstellungsverfahren von auf Siliziumkarbid basierenden Dünnfilm-Solarzellen. Durch eine impulsartige, intensive Lichtbestrahlung können die Silizium oder Silizium/Germanium auf Silizium Grenzflächen der Substrate kurzzeitig und facettenartig aufgeschmolzen werden. Die dadurch entstehende reliefartige Grenzfläche führt zu einer erhöhten Lichtabsorbtion in der Siliziumkarbidschicht, wodurch die Effizienz der Solarzellen erhöht wird.