Nano-Löcher: auf der Rasterkraftmikroskop-Aufnahme sieht man durch hochgeladene Ionen hervorgerufene Defekte in der Materialoberfläche. Jedes Nano-Loch entspricht dem Beschuss mit genau einem Ion.
Title | Nano-Löcher: auf der Rasterkraftmikroskop-Aufnahme sieht man durch hochgeladene Ionen hervorgerufene Defekte in der Materialoberfläche. Jedes Nano-Loch entspricht dem Beschuss mit genau einem Ion. |
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Description | Scanning force microscopy image of CaF2 single crystal irradiated through a a rectangular copper grid and subsequently chemically etched using HNO3. Every etch pit is corresponding to one ion impact. |
Copyright | Dr. El-Said |
Picture Id | 37540 |
Date | 19.09.2012 |
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