40 kV Ionenimplanter
Hersteller: | Danfysik A/S, Denmark, Model 1050 | |
Ionenquelle: | Chordis, Gas- und Feststoffbetrieb | |
Energiebereich: | 50 eV - 40 keV (für einfach geladene Ionen) | |
Scanprinzip: | doppelt elektrostatisch | |
Implantationskammern: | 1 |
Die Implantationskammer am 40 kV Ionenimplanter
Substrate: | bis 6" Wafer | |
Substratgröße: | 0.3 x 0.3 cm2 bis 6" Wafer | |
Implantationsfläche: | max. 150 x 150 mm | |
Implantationswinkel: | 0° und 7°, andere Winkel auf Anfrage | |
Substrattemperatur: | Stickstoffkühlung für 2" Wafer, bis 800 °C für 1x1 cm2 Proben |
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Fluenzbereich: | 1012 bis 1017 cm-2 (höhere Fluenzen auf Anfrage) |
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